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【新材料●新能源●低碳环保】 2018 第12期 美高森美推出全新碳化硅金属氧化物半导体场效应管功率模块;提高车载充电器效率 英飞凌推首款车用碳化硅产品;我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

【新材料新能源低碳环保】 2018 第12期 美高森美推出全新碳化硅金属氧化物半导体场效应管功率模块;提高车载充电器效率 英飞凌推首款车用碳化硅产品;我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破


2018-06-07 张江发展战略研究院

采编 | Paul

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上海人大人科学发展研究院)




业界风云



美高森美推出全新碳化硅金属氧化物半导体场效应管功率模块


近日,美国美高森美公司推出了一款全新的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率模块产品SP6LI。该产品可应用于航空航天和国防工业领域,实现电源开关模式切换和电动机控制。


该功率模块采用电感极低的封装技术,以实现大电流低特异性导通电阻(RDSon)。该封装技术专为SP6LI系列产品设计,旨在将杂散电感降低至2.9纳亨水平,以满足碳化硅金属氧化物半导体场效应管技术要求,实现大电流、高开关频率和高效率。此外,该封装技术在实现产品高功率密度要求的前提下,还使其具有更为紧凑的外形,从而满足了用户进一步缩小设备尺寸的需求。


美国美高森美公司出品的SP6LI系列产品有5个标准模块,在管壳温度80℃时,可提供从210至586安培下1200伏特到207安培下1700伏特的相桥臂拓扑结构范围。


美高森美公司推出的SP6LI功率模块可用于控制飞机驱动系统、发电系统、电动和混动汽车传动及动能回收系统中的电动机,还具有切换和管理感应加热、医疗电源和电气化列车中电源开关模式的功能。(工业和信息化部电子第一研究所

李铁成)



提高车载充电器效率 英飞凌推首款车用碳化硅产品


据外媒报道,在今年的纽伦堡PCIM欧洲展会上,英飞凌(Infineon)推出了首款车用碳化硅产品,肖特基(Schottky)二极管,并为其新创了一个品牌名CoolSiC。此二极管专为混合动力车和电动车中的车载充电器(OBC)应用而设计。


基于碳化硅的半导体元件肖特基(Schottky)二极管与传统硅元件相比更具能效,因此能量损失也更低。同时,此类半导体元件还能在高温条件下运行。如此一来,它们就成为车内产品的理想选品,英飞凌(Infineon)目前打算将其推向汽车市场。


英飞凌(Infineon)高功率汽车副总裁兼总经理Stephan Zizala表示:“碳化硅(SiC)技术目前已经可以在汽车中大量使用,车用CoolSiC肖特基(Schottky)二极管系列的推出标志着英飞凌(Infineon)开发碳化硅产品系列的一个里程碑。碳化硅产品系列包括车载充电器、DC/DC(直流电)转换器和转换器系统。”


新产品系列基于英飞凌(Infineon)的第五代肖特基(Schottky)二极管。芯片制造商进一步优化了此类二极管,以满足汽车行业对稳健性和可靠性的高要求。由于使用了新的钝化层,该系列产品在竞争产品中能提供最大的防潮防腐保护。此外,得益于底层110µm薄晶圆技术,它具有同类产品中最好的FOM值(品质因数,Qc x Vf)。较低的FOM值意味着较低的功率损失。与传统硅快速二极管相比,CoolSiC车用肖特基(Schottky)二极管可在所有充电条件下将车载充电器(OBC)的效率提高一个百分点。


新二极管的首款衍生产品将于2018年9月上市,适用于650V级别产品。具有3级标准TO247外壳的新产品可集成到车载充电器(OBC)系统中,并与英飞凌(Infineon)的TRENCHSTOP绝缘栅门极晶体管(IGBT)以及CoolMOS结合使用。



我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破


6月5日,在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内,100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。


中国电科二所第一事业部主任李斌说:“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪,正好咱们自己能生产了。”


SiC单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性,
成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料,是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料,具有重要的应用价值和广阔的应用前景。


中国电科二所第一事业部主任李斌说:“高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料,单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备,要想生长出高质量的SiC单晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。”


据介绍,单晶生长炉需要达到高温、高真空、高洁净度的要求,目前国内只有两家能生产单晶生长炉,中国电科二所是其中之一。他们突破了大直径SiC生长的温场设计,实现可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产;他们还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术,实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量生产。






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